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Si3911DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.75
600
0.60
500
C iss
400
0.45
300
V GS = 1.8 V
0.30
V GS = 2.5 V
200
0.15
V GS = 4.5 V
100
C oss
C rss
0.00
0
0
2
4
6
8
0
4
8
12
16
20
5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
4
V DS = 10 V
I D = 2.2 A
1.6
V GS = 4.5 V
I D = 2.2 A
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0
0.8
0.6
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.5
0.4
0.3
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 2.2 A
0.2
T J = 25 °C
0.1
0.1
0.0
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71380
S09-2276-Rev. C, 02-Nov-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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